IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 943.83 грн |
| 10+ | 635.98 грн |
| 100+ | 560.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGT60R070D1ATMA4 за ціною від 494.38 грн до 1896.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
600V Enhancement Mode Power Transistor |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IGT60R070D1ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |