IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 921.09 грн |
| 10+ | 620.66 грн |
| 100+ | 547.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): -10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції IGT60R070D1ATMA4 за ціною від 463.91 грн до 954.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IGT60R070D1ATMA4 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
MOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 954.40 грн |
| 10+ | 675.60 грн |
| 50+ | 586.79 грн |
| 100+ | 463.91 грн |