IGT60R190D1ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 490.25 грн |
| 10+ | 436.54 грн |
| 100+ | 386.24 грн |
| 500+ | 306.39 грн |
| 1000+ | 247.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT60R190D1ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGT60R190D1ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
 |
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
товару немає в наявності |