Інші пропозиції IGT60R190D1SATMA1 за ціною від 946.70 грн до 946.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGT60R190D1SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 946.70 грн |
| IGT60R190D1SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 946.70 грн |
| IGT60R190D1SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT60R190D1SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT60R190D1SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)