Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1

Infineon-ProductSelectionGuide_GalliumNitride_CoolGaN_emode_HEMTs-SG-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670c286baf30a6
Код товару: 192373
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IGT60R190D1SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ProductSelectionGuide_GalliumNitride_CoolGaN_emode_HEMTs-SG-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670c286baf30a6 Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGT60R190D1S-DataSheet-v03_12-EN-1500918.pdf MOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 Infineon-ProductSelectionGuide_GalliumNitride_CoolGaN_emode_HEMTs-SG-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670c286baf30a6
IGT60R190D1SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 Infineon-IGT60R190D1S-DataSheet-v03_12-EN-1500918.pdf
IGT60R190D1SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.