Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGT65R025D2ATMA1
IGT65R025D2ATMA1

IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies

infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+393.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 11nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції IGT65R025D2ATMA1 за ціною від 463.66 грн до 1109.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.72 грн
10+579.82 грн
100+463.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 70A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.47 грн
10+813.57 грн
100+553.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 70A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1109.13 грн
18+818.49 грн
100+556.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+866.72 грн
10+579.82 грн
100+463.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 70A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1102.47 грн
10+813.57 грн
100+553.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 70A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1109.13 грн
18+818.49 грн
100+556.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon_IGT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.