Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGT65R025D2ATMA1
IGT65R025D2ATMA1

IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies

infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+390.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGT65R025D2ATMA1 за ціною від 365.80 грн до 1136.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+763.91 грн
50+650.55 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.53 грн
10+575.42 грн
100+460.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+925.08 грн
10+624.93 грн
100+467.30 грн
500+430.65 грн
1000+393.29 грн
2000+365.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.10 грн
5+918.51 грн
10+763.91 грн
50+650.55 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1136.87 грн
18+814.14 грн
100+662.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+763.91 грн
50+650.55 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 infineon-igt65r025d2-datasheet-en.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+859.53 грн
10+575.42 грн
100+460.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon_IGT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+925.08 грн
10+624.93 грн
100+467.30 грн
500+430.65 грн
1000+393.29 грн
2000+365.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1073.10 грн
5+918.51 грн
10+763.91 грн
50+650.55 грн
100+545.54 грн
250+534.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 infineonigt65r025d2datasheetv0100en.pdf
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+1136.87 грн
18+814.14 грн
100+662.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.