IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1077.69 грн |
| 10+ | 861.63 грн |
| 25+ | 697.97 грн |
| 50+ | 667.36 грн |
| 100+ | 639.04 грн |
| 250+ | 607.66 грн |
| 500+ | 580.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: HV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGT65R035D2ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT65R035D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGT65R035D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |