IGT65R045D2ATMA1

IGT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGT65R045D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.47 грн
10+433.76 грн
100+313.67 грн
500+279.59 грн
1000+249.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IGT65R045D2ATMA1 за ціною від 452.78 грн до 841.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 Виробник : INFINEON Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+643.80 грн
50+538.11 грн
100+461.72 грн
250+452.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 Виробник : INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+841.89 грн
5+738.50 грн
10+643.80 грн
50+538.11 грн
100+461.72 грн
250+452.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.