IGT65R045D2ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 414.44 грн |
| 50+ | 348.18 грн |
| 100+ | 287.57 грн |
| 250+ | 281.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT65R045D2ATMA1 INFINEON
Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGT65R045D2ATMA1 за ціною від 216.38 грн до 606.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IGT65R045D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 577.25 грн |
| 10+ | 378.27 грн |
| 100+ | 277.58 грн |
| 500+ | 256.07 грн |
| IGT65R045D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 606.03 грн |
| 10+ | 397.98 грн |
| 100+ | 259.38 грн |
| 500+ | 255.15 грн |
| 1000+ | 234.00 грн |
| 2000+ | 216.38 грн |