Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGT65R055D2ATMA1
IGT65R055D2ATMA1

IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.93 грн
10+327.46 грн
100+230.25 грн
500+205.04 грн
1000+198.91 грн
2000+168.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGT65R055D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGT65R055D2ATMA1 за ціною від 210.82 грн до 442.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGT65R055D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5e99970a26 Description: IGT65R055D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.95 грн
10+287.15 грн
100+210.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGT65R055D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5e99970a26 Description: IGT65R055D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.