Продукція > INFINEON > IGT65R055D2ATMA1

IGT65R055D2ATMA1 INFINEON


infineon-igt65r055d2-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+472.77 грн
10+315.72 грн
100+247.26 грн
500+214.64 грн
1000+183.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R055D2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm.

Інші пропозиції IGT65R055D2ATMA1 за ціною від 180.18 грн до 579.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-igt65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
10+306.40 грн
100+222.26 грн
500+197.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.08 грн
10+385.04 грн
100+243.00 грн
500+192.61 грн
1000+182.25 грн
2000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1 infineon-igt65r055d2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+472.97 грн
10+306.40 грн
100+222.26 грн
500+197.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1 Infineon_IGT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+579.08 грн
10+385.04 грн
100+243.00 грн
500+192.61 грн
1000+182.25 грн
2000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.