IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 368.39 грн |
| 100+ | 315.88 грн |
| 500+ | 271.22 грн |
| 1000+ | 229.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGT65R055D2XTMA1 за ціною від 229.26 грн до 449.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGT65R055D2XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IGT65R055D2XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 449.61 грн |
| 10+ | 368.39 грн |
| 100+ | 315.88 грн |
| 500+ | 271.22 грн |
| 1000+ | 229.26 грн |