Продукція > INFINEON > IGT65R140D2ATMA1
IGT65R140D2ATMA1

IGT65R140D2ATMA1 INFINEON

Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R140D2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGT65R140D2ATMA1 за ціною від 79.65 грн до 292.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.47 грн
10+185.75 грн
25+183.39 грн
100+145.84 грн
250+131.08 грн
500+115.82 грн
1000+113.39 грн
3000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.47 грн
77+185.75 грн
78+183.30 грн
100+145.84 грн
250+131.08 грн
500+111.94 грн
1000+111.45 грн
3000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.74 грн
10+159.81 грн
100+112.00 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R140D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.34 грн
10+176.70 грн
100+114.18 грн
500+96.56 грн
2000+85.28 грн
4000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+184.19 грн
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+246.47 грн
10+185.75 грн
25+183.39 грн
100+145.84 грн
250+131.08 грн
500+115.82 грн
1000+113.39 грн
3000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+246.47 грн
77+185.75 грн
78+183.30 грн
100+145.84 грн
250+131.08 грн
500+111.94 грн
1000+111.45 грн
3000+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+253.74 грн
10+159.81 грн
100+112.00 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 Infineon_IGT65R140D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+285.34 грн
10+176.70 грн
100+114.18 грн
500+96.56 грн
2000+85.28 грн
4000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b
IGT65R140D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+184.19 грн
100+132.39 грн
500+109.19 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.