Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGT65R140D2ATMA1
IGT65R140D2ATMA1

IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Виробник: Infineon Technologies
Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.96 грн
10+172.81 грн
100+121.09 грн
500+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGT65R140D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGT65R140D2ATMA1 за ціною від 87.52 грн до 294.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.57 грн
10+190.60 грн
100+121.60 грн
500+108.43 грн
1000+105.33 грн
2000+89.07 грн
4000+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.