IGU04N60TAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IGU04N60T-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141e47349ff51f4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 61µJ (on), 84µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.84 грн
75+35.26 грн
150+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGU04N60TAKMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: PG-TO251-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns, Switching Energy: 61µJ (on), 84µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 42 W.

Інші пропозиції IGU04N60TAKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGU04N60TAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3163624.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3163624.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.