IGW15T120FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 185.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW15T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns, Switching Energy: 2.7mJ, Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 110 W.
Інші пропозиції IGW15T120FKSA1 за ціною від 198.86 грн до 198.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGW15T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IGW15T120FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW15T120FKSA1 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 110 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
IGW15T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
IGW15T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
IGW15T120FKSA1 Код товару: 182831 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||
| IGW15T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |