Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGW25T120FKSA1
IGW25T120FKSA1

IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

igw25t120_rev2_3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+149.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IGW25T120FKSA1 за ціною від 176.88 грн до 330.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+221.49 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+240.89 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+256.11 грн
10+234.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.94 грн
5+187.46 грн
14+176.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.52 грн
5+233.61 грн
14+212.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.50 грн
10+280.03 грн
100+229.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+330.66 грн
41+303.28 грн
50+270.82 грн
100+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS14051-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW25T120FKSA1 - IGW25T120 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW25T120_DS_v02_04_en-1226935.pdf IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.