IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IGW30N60H3-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.93 грн
3+181.15 грн
10+142.10 грн
30+123.81 грн
120+103.04 грн
300+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 30A, Power dissipation: 187W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube.

Інші пропозиції IGW30N60H3FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.