IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.49 грн |
| 3+ | 214.85 грн |
| 10+ | 172.89 грн |
| 30+ | 147.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IGW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGW40N65F5FKSA1 за ціною від 95.99 грн до 337.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon |
IGBT 650V 74A 255W IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
товару немає в наявності |