IGW40N65H5AXKSA1

IGW40N65H5AXKSA1 Infineon Technologies


IGW40N65H5A.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns
Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW40N65H5AXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns, Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IGW40N65H5AXKSA1 за ціною від 259.96 грн до 259.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW40N65H5AXKSA1 IGW40N65H5AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGP40N65H5_IGW40N65H5-DS-v02_01-EN-1226015.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5AXKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IGW40N65H5A.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65H5AXKSA1 - IGW40N65 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+259.96 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5AXKSA1 IGW40N65H5AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 8015infineon-igw40n65h5a-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b79.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5AXKSA1 IGW40N65H5AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IGW40N65H5A.pdf Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns
Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.