IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.62 грн |
| 10+ | 223.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 333 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Part Status: Active, Gate Charge: 310 nC, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A.
Інші пропозиції IGW50N60TFKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW50N60T | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGW50N60T |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)