Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGW50N60T
IGW50N60T

IGW50N60T Infineon Technologies

Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.24 грн
10+ 267.95 грн
25+ 219.64 грн
100+ 188.27 грн
240+ 176.92 грн
480+ 166.9 грн
1200+ 142.87 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW50N60T Infineon Technologies

Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції IGW50N60T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGW50N60T IGW50N60T Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній