на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 341.08 грн |
| 10+ | 262.27 грн |
| 100+ | 184.44 грн |
| 480+ | 163.78 грн |
| 1200+ | 140.82 грн |
| 2640+ | 132.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N60T Infineon Technologies
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції IGW50N60T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW50N60T | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
товару немає в наявності |