Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGW50N60TFKSA1
IGW50N60TFKSA1

IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IGW50N60T-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.62 грн
10+223.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції IGW50N60TFKSA1 за ціною від 161.50 грн до 483.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.76 грн
30+161.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw50n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.24 грн
33+440.81 грн
50+381.87 грн
100+315.96 грн
200+276.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IGW50N60TFKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.76 грн
30+161.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 infineon-igw50n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+483.24 грн
33+440.81 грн
50+381.87 грн
100+315.96 грн
200+276.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW50N60TFKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.