IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.94 грн |
| 25+ | 126.23 грн |
| 100+ | 114.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns, Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 249 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319.2 W.
Інші пропозиції IGW50N60TPXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW50N60TPXKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319.2W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGW50N60TPXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGW50N60TPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)