Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGW50N65H5FKSA1
IGW50N65H5FKSA1

IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies

38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+208.05 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, Verlustleistung: 305W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IGW50N65H5FKSA1 за ціною від 124.11 грн до 386.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.58 грн
30+151.52 грн
120+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.33 грн
10+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.69 грн
10+195.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON 2333559.pdf Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.58 грн
30+151.52 грн
120+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+365.33 грн
10+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.69 грн
10+195.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 2333559.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 38567581641915056ds_igw50n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af900f52c5c25folder..pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.