Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGW60N60H3FKSA1
IGW60N60H3FKSA1

IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.96 грн
30+240.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 375 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 416 W.

Інші пропозиції IGW60N60H3FKSA1 за ціною від 293.06 грн до 562.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.07 грн
3+349.09 грн
8+330.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON 4098630.pdf Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+480.18 грн
10+363.12 грн
100+293.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+498.61 грн
32+384.74 грн
50+318.85 грн
200+306.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.89 грн
3+435.02 грн
8+396.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf IGBTs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.