IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.63 грн |
| 30+ | 237.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IGW60N60H3FKSA1 за ціною від 297.49 грн до 662.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
товару немає в наявності |