IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.59 грн |
| 10+ | 342.09 грн |
| 30+ | 319.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 375 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 416 W.
Інші пропозиції IGW60N60H3FKSA1 за ціною від 205.03 грн до 537.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
товару немає в наявності |