Продукція > Транзистори > IGBT > IGW75N65H5XKSA1

IGW75N65H5XKSA1

Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
Код товару: 174179
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IGW75N65H5XKSA1 за ціною від 172.75 грн до 493.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+247.71 грн
480+190.79 грн
1200+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+247.71 грн
480+190.79 грн
1200+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+380.15 грн
5+204.86 грн
10+194.70 грн
30+182.00 грн
60+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.30 грн
30+208.52 грн
120+172.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.83 грн
10+295.56 грн
100+245.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+493.83 грн
48+295.56 грн
100+245.81 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON 2354576.pdf Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+247.71 грн
480+190.79 грн
1200+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+247.71 грн
480+190.79 грн
1200+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+380.15 грн
5+204.86 грн
10+194.70 грн
30+182.00 грн
60+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.30 грн
30+208.52 грн
120+172.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+493.83 грн
10+295.56 грн
100+245.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+493.83 грн
48+295.56 грн
100+245.81 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 2354576.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.