IGW75N65H5XKSA1

IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies


infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns, Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IGW75N65H5XKSA1 за ціною від 165.47 грн до 536.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+252.16 грн
Мінімальне замовлення: 240
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+333.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.94 грн
30+ 262.44 грн
120+ 224.94 грн
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON 2354576.pdf Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+366.87 грн
10+ 312.28 грн
100+ 230.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW75N65H5_DS_v02_02_EN-1731575.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.98 грн
10+ 309.68 грн
25+ 254.37 грн
100+ 218.03 грн
240+ 205.05 грн
480+ 193.37 грн
1200+ 165.47 грн
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+536.43 грн
30+ 390.84 грн
50+ 346.88 грн
100+ 314.7 грн
200+ 274.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGW75N65H5XKSA1
Код товару: 174179
Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
товар відсутній