на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 580.46 грн |
| 10+ | 426.96 грн |
| 100+ | 222.31 грн |
| 480+ | 221.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns, Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 166 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 119 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IGZ75N65H5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 119A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 166nC Kind of package: tube Turn-off time: 415ns Turn-on time: 37ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 119 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 166nC Kind of package: tube Turn-off time: 415ns Turn-on time: 37ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V |
товару немає в наявності |