IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IHFW40N65R5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d969bc751ef7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 61A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/363ns
Switching Energy: 1.52mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 108 W
на замовлення 8340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
89+230.28 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 61A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/363ns, Switching Energy: 1.52mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 23.1Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 61 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 108 W.

Інші пропозиції IHFW40N65R5SXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IHFW40N65R5SXKSA1 IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHFW40N65R5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d969bc751ef7 Description: IGBT TRENCH FS 650V 61A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/363ns
Switching Energy: 1.52mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 108 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHFW40N65R5SXKSA1 IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHFW40N65R5S_DataSheet_v02_01_EN-3361672.pdf IGBTs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon-IHFW40N65R5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d969bc751ef7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 61A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/363ns
Switching Energy: 1.52mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 108 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon_IHFW40N65R5S_DataSheet_v02_01_EN-3361672.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.