IHW15N120R2 INFINEON


IHW15N120R2.pdf Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW15N120R2 INFINEON

Description: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/282ns, Switching Energy: 900µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V, Gate Charge: 133 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції IHW15N120R2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IHW15N120R2 IHW15N120R2 Виробник : Infineon Technologies IHW15N120R2.pdf Description: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2 IHW15N120R2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGA03N120H2-DS-v02_02-EN-1226029.pdf IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній