IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 108.05 грн |
| 10+ | 100.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 288W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP™, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IHW20N120R5XKSA1 за ціною від 74.74 грн до 314.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 440ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 440ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
товару немає в наявності |