IHW20N65R5 Infineon Technologies
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.49 грн |
| 10+ | 160.42 грн |
| 100+ | 114.92 грн |
| 240+ | 109.6 грн |
| 480+ | 82.37 грн |
| 1200+ | 77.72 грн |
| 2640+ | 75.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW20N65R5 Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 82 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns, Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 97 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IHW20N65R5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW20N65R5 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 150 W |
товар відсутній |