Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW25N120E1XKSA1
IHW25N120E1XKSA1

IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies

9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.57 грн
10+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IHW25N120E1XKSA1 за ціною від 154.74 грн до 282.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+163.01 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.78 грн
10+173.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+172.46 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+172.46 грн
500+163.01 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+249.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.78 грн
10+173.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.