IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 125.30 грн |
| 10+ | 125.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IHW25N120E1XKSA1 за ціною від 76.76 грн до 340.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 147nC Turn-off time: 2004ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 92.4W Pulsed collector current: 75A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ RC Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Case: TO247-3 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 147nC Turn-off time: 2004ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 92.4W Pulsed collector current: 75A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ RC Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 800µJ (off) Gate Charge: 147 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 231 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |