IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 141.33 грн |
| 10+ | 131.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IHW25N120E1XKSA1 за ціною від 98.97 грн до 241.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 800µJ (off) Gate Charge: 147 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 231 W |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 147nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Turn-off time: 2004ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 92.4W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IHW25N120E1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 147nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Turn-off time: 2004ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 92.4W |
товар відсутній |