IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 290.29 грн |
10+ | 234.77 грн |
100+ | 189.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IHW30N110R3FKSA1 за ціною від 166.73 грн до 378.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 180nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-off time: 470ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 166W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 180nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-off time: 470ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 166W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |