IHW30N110R3FKSA1

IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies


DS_IHW30N110R3_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304327b897500127b963455e0089 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+290.29 грн
10+ 234.77 грн
100+ 189.95 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IHW30N110R3FKSA1 за ціною від 166.73 грн до 378.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n110r3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+302.92 грн
10+ 252.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N110R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+314.46 грн
3+ 257.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n110r3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+326.22 грн
43+ 272.43 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N110R3-DataSheet-v02_01-EN-1225814.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.66 грн
10+ 300.21 грн
25+ 247.1 грн
100+ 238.47 грн
240+ 202.6 грн
480+ 182.01 грн
1200+ 166.73 грн
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N110R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.35 грн
3+ 320.76 грн
4+ 268.19 грн
10+ 254.08 грн
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+378.54 грн
10+ 289.12 грн
100+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n110r3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній