IHW30N110R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 183.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N110R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IHW30N110R5XKSA1 за ціною від 116.25 грн до 368.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Gate Charge: 240 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IHW30N110R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |