Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N120R5XKSA1
IHW30N120R5XKSA1

IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+189.47 грн
480+149.03 грн
1200+146.48 грн
2640+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/330ns, Switching Energy: 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 235 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 330 W.

Інші пропозиції IHW30N120R5XKSA1 за ціною від 131.91 грн до 306.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+189.47 грн
480+149.03 грн
1200+146.48 грн
2640+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 363ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.94 грн
5+163.70 грн
10+147.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW30N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4ba9630ec Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.77 грн
30+161.46 грн
120+131.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW30N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON 2718664.pdf Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+189.47 грн
480+149.03 грн
1200+146.48 грн
2640+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 363ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.94 грн
5+163.70 грн
10+147.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 Infineon-IHW30N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4ba9630ec
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.77 грн
30+161.46 грн
120+131.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 Infineon_IHW30N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 2718664.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.