IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 93.69 грн |
| 9+ | 68.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/337ns, Switching Energy: 1.93mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 263 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції IHW30N135R3FKSA1 за ціною від 169.39 грн до 330.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65 Verlustleistung Pd: 349 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/337ns Switching Energy: 1.93mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 263nC Kind of package: tube Turn-off time: 510ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |