IHW30N135R3FKSA1

IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ihw30n135r3-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+253.17 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції IHW30N135R3FKSA1 за ціною від 191.28 грн до 416.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 Виробник : INFINEON 2334180.pdf Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N135R3-DataSheet-v02_03-EN-1226625.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.27 грн
10+345.18 грн
25+283.24 грн
100+242.78 грн
240+229.53 грн
480+216.29 грн
1200+191.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n135r3-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88 Description: IGBT TRENCH 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.