IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5) Infineon
Код товару: 183681
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-247
Vces: 1350
Vce: 1,65
Ic 25: 60
Ic 100: 30
Pd 25: 330
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5) за ціною від 131.50 грн до 396.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 235nC Turn-off time: 680ns Power dissipation: 165W Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Collector-emitter voltage: 1.35kV Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Kind of package: tube |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/310ns Switching Energy: 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IHW30N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 680ns
Power dissipation: 165W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 680ns
Power dissipation: 165W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.36 грн |
| 5+ | 229.07 грн |
| 10+ | 207.86 грн |
| 30+ | 159.50 грн |
| 60+ | 132.35 грн |
| 120+ | 131.50 грн |
| IHW30N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.96 грн |
| 10+ | 151.57 грн |
| IHW30N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 342.08 грн |
| 10+ | 174.33 грн |
| 100+ | 158.70 грн |
| IHW30N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.46 грн |
| 50+ | 197.52 грн |
| 100+ | 179.65 грн |
З цим товаром купують
| 1N5819 Код товару: 172113
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 25 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 25 A
у наявності: 335 шт
- 241 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 88 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| KBJ3510 Код товару: 127229
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBJ
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBJ
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 35 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
у наявності: 31 шт
- 11 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| 1N4732A Код товару: 33737
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 53mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.03 до +0.04 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 53mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.03 до +0.04 %/°C
у наявності: 547 шт
- 187 шт - склад
- 174 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 185 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| SN74HC14N Код товару: 29733
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: DIP-14
Опис: HEX schmitt-trigger inverters
Монтаж: THT
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: DIP-14
Опис: HEX schmitt-trigger inverters
Монтаж: THT
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 300 шт
- 256 шт - склад
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.50 грн |
| IR2110PBF Код товару: 28037
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-14
Uc, V: 500 V
I o +/-, A: 2,0/2,0 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-14
Uc, V: 500 V
I o +/-, A: 2,0/2,0 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 78 шт
- 34 шт - склад
- 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 125.00 грн |
| 10+ | 114.00 грн |












