
IHW30N135R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 123.34 грн |
10+ | 120.02 грн |
25+ | 106.50 грн |
100+ | 99.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N135R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IHW30N135R5XKSA1 за ціною від 97.85 грн до 337.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/310ns Switching Energy: 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 680ns Technology: TRENCHSTOP™ |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 680ns Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IHW30N135R5XKSA1 Код товару: 183681
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IHW30N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |