Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N160R2FKSA1

IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies

IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+569.57 грн
10+514.20 грн
50+482.75 грн
100+438.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/525ns, Switching Energy: 4.37mJ, Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.

Інші пропозиції IHW30N160R2FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69 Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R2-DS-v02_01-EN-1731577.pdf IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 INFINEON 611693.pdf Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69
IHW30N160R2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R2FKSA1 Infineon-IHW30N160R2-DS-v02_01-EN-1731577.pdf
IHW30N160R2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R2FKSA1 611693.pdf
IHW30N160R2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.