IHW30N160R2FKSA1

IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ihw30n160r2-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/525ns, Switching Energy: 4.37mJ, Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.

Інші пропозиції IHW30N160R2FKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69 Description: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R2-DS-v02_01-EN-1731577.pdf IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній