на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.11 грн |
| 10+ | 229.97 грн |
| 25+ | 141.87 грн |
| 100+ | 115.45 грн |
| 240+ | 114.70 грн |
| 480+ | 89.04 грн |
| 1200+ | 87.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns, Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 176 W.
Інші пропозиції IHW30N65R5XKSA1 за ціною від 121.58 грн до 282.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 176 W |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 228ns Pulsed collector current: 90A Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IHW30N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 228ns Pulsed collector current: 90A Collector current: 30A |
товару немає в наявності |