Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N65R5XKSA1
IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IHW30N65R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014db954d0454713 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.86 грн
30+114.29 грн
120+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns, Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 176 W.

Інші пропозиції IHW30N65R5XKSA1 за ціною від 64.59 грн до 236.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IHW30N65R5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.39 грн
10+125.88 грн
100+88.50 грн
480+67.46 грн
1200+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.