IHW30N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.89 грн |
| 30+ | 146.07 грн |
| 120+ | 119.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 65A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns, Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 163 W.
Інші пропозиції IHW30N65R6XKSA1 за ціною від 283.07 грн до 285.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N65R6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 65A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IHW30N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005399486 |
товару немає в наявності |
||||||||
| IHW30N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Reverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
IHW30N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package |
товару немає в наявності |