Продукція > INFINEON > IHW30N65R6XKSA1
IHW30N65R6XKSA1

IHW30N65R6XKSA1 INFINEON

3208412.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 65A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.20 грн
10+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N65R6XKSA1 INFINEON

Description: IGBT 650V 65A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns, Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 163 W.

Інші пропозиції IHW30N65R6XKSA1 за ціною від 76.00 грн до 256.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW30N65R6XKSA1 IHW30N65R6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1b3677278 Description: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.18 грн
30+121.63 грн
120+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R6XKSA1 IHW30N65R6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IHW30N65R6_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.23 грн
10+163.57 грн
100+104.59 грн
480+87.15 грн
1200+80.88 грн
2640+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r6-datasheet-v01_20-en.pdf Reverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.