IHW30N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.02 грн |
| 10+ | 165.35 грн |
| 100+ | 105.72 грн |
| 480+ | 88.10 грн |
| 1200+ | 81.76 грн |
| 2640+ | 76.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 163W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 65A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IHW30N65R6XKSA1 за ціною від 123.63 грн до 337.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N65R6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 163 W |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IHW30N65R6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 65A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IHW30N65R6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
Description: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.21 грн |
| 30+ | 151.77 грн |
| 120+ | 123.63 грн |
| IHW30N65R6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 65A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 65A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 337.96 грн |
| 10+ | 218.73 грн |
| 100+ | 160.35 грн |