Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW40N60RFKSA1
IHW40N60RFKSA1

IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies

IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+162.88 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/193ns, Switching Energy: 750µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 223 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IHW40N60RFKSA1 за ціною від 184.79 грн до 401.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon__DS_v02_06_EN-3161790.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.29 грн
10+355.50 грн
25+292.44 грн
100+253.26 грн
240+245.27 грн
480+219.15 грн
1200+209.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1057ihw40n60r_2_4.pdffileiddb3a304316f66ee80117545f8f30066ffolderiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFKSA1 - IHW40N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1057ihw40n60r_2_4.pdffileiddb3a304316f66ee80117545f8f30066ffolderiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 217ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 217ns
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.