IHW40N60RFKSA1

IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies


IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+165.88 грн
Мінімальне замовлення: 121
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/193ns, Switching Energy: 750µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 223 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IHW40N60RFKSA1 за ціною від 191.97 грн до 367.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon__DS_v02_06_EN-3161790.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.33 грн
10+ 325.42 грн
25+ 267.7 грн
100+ 231.83 грн
240+ 224.52 грн
480+ 200.61 грн
1200+ 191.97 грн
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1057ihw40n60r_2_4.pdffileiddb3a304316f66ee80117545f8f30066ffolderiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1057ihw40n60r_2_4.pdffileiddb3a304316f66ee80117545f8f30066ffolderiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N60RF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : Infineon Technologies IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N60RF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній