IHW40N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.1 грн |
| 30+ | 159.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW40N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns, Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 193 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції IHW40N65R5XKSA1 за ціною від 180.11 грн до 258.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 273ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IHW40N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 273ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |