Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW40N65R6XKSA1
IHW40N65R6XKSA1

IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.57 грн
10+148.24 грн
30+147.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT 650V 83A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 99 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 159 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 210 W.

Інші пропозиції IHW40N65R6XKSA1 за ціною від 130.38 грн до 303.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Infineon Technologies infineonihw40n65r6datasheetv0120en.pdf IGBT with Monolithic Integrated Diode
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.14 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Description: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.27 грн
30+159.61 грн
120+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON 3760037.pdf Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 infineonihw40n65r6datasheetv0120en.pdf
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Monolithic Integrated Diode
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+249.14 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.27 грн
30+159.61 грн
120+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 3760037.pdf
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.