Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5XKSA1

IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+169.62 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns, Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.

Інші пропозиції IHW50N65R5XKSA1 за ціною від 125.41 грн до 288.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.29 грн
10+215.23 грн
25+191.53 грн
50+182.17 грн
100+151.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.65 грн
30+153.01 грн
120+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001381834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+223.29 грн
10+215.23 грн
25+191.53 грн
50+182.17 грн
100+151.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.65 грн
30+153.01 грн
120+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 INFN-S-A0001381834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.