IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.16 грн |
| 30+ | 127.91 грн |
| 120+ | 104.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 108 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 199 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 251 W.
Інші пропозиції IHW50N65R6XKSA1 за ціною від 75.49 грн до 282.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW50N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW50N65R6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 251W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005399490 |
товару немає в наявності |