Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW50N65R6XKSA1
IHW50N65R6XKSA1

IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.71 грн
30+153.31 грн
120+125.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 108 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 199 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 251 W.

Інші пропозиції IHW50N65R6XKSA1 за ціною від 98.74 грн до 313.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 168 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+313.54 грн
10+170.75 грн
100+121.01 грн
480+100.97 грн
1200+98.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 INFINEON 3705454.pdf Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 infineon-ihw50n65r6-datasheet-cn.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 168 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.54 грн
10+170.75 грн
100+121.01 грн
480+100.97 грн
1200+98.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 3705454.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.