IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.66 грн |
50+ | 107.07 грн |
100+ | 88.1 грн |
500+ | 69.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns, Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 31.2 W.
Інші пропозиції IKA08N65H5XKSA1 за ціною від 90.62 грн до 167.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKA08N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKA08N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
IKA08N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 10.8A 31200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||
IKA08N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
товар відсутній |