IKB06N60TATMA1

IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies


infineon-ikb06n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns, Switching Energy: 200µJ, Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 42 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 88 W.

Інші пропозиції IKB06N60TATMA1 за ціною від 47 грн до 127.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.13 грн
500+ 70.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IKB06N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4286b603df2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.38 грн
10+ 90.82 грн
100+ 72.32 грн
500+ 57.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.51 грн
10+ 96.74 грн
100+ 69.43 грн
250+ 63.96 грн
500+ 57.82 грн
1000+ 49.47 грн
2000+ 47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+127.32 грн
10+ 106.35 грн
100+ 86.13 грн
500+ 70.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB06N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IKB06N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4286b603df2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товар відсутній
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB06N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній