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Технічний опис IKB10N60T Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).



