IKB10N60T Infineon Technologies


Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB10N60T Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IKB10N60T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB10N60T INF TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60T
Виробник: INF
TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.