IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 82.00 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 24A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IKB10N60TATMA1 за ціною від 64.68 грн до 203.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Technology: TRENCHSTOP™ |
на замовлення 437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2 |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 24A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 24A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 82.10 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 137.90 грн |
| 110+ | 129.65 грн |
| 125+ | 113.50 грн |
| 200+ | 104.45 грн |
| 500+ | 96.39 грн |
| 1000+ | 85.06 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 170.70 грн |
| 10+ | 122.44 грн |
| 25+ | 103.99 грн |
| 50+ | 93.09 грн |
| 100+ | 86.38 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 175.66 грн |
| 129+ | 109.69 грн |
| 176+ | 80.69 грн |
| 500+ | 64.68 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.01 грн |
| 10+ | 126.12 грн |
| 100+ | 86.64 грн |
| 500+ | 65.44 грн |
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKB10N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)