Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB10N60TATMA1
IKB10N60TATMA1

IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies

5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IKB10N60TATMA1 за ціною від 36.37 грн до 170.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.66 грн
200+82.53 грн
500+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+119.25 грн
110+112.11 грн
125+98.14 грн
200+90.32 грн
500+83.36 грн
1000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.21 грн
10+102.97 грн
11+91.18 грн
25+87.25 грн
28+86.47 грн
50+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN-1226996.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.95 грн
10+94.59 грн
100+58.26 грн
500+47.92 грн
1000+40.45 грн
2000+36.82 грн
5000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.07 грн
10+123.59 грн
50+95.66 грн
200+82.53 грн
500+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD3C93FDBDF820&compId=IKB10N60T.pdf?ci_sign=ac3f6735529e5b82d20ec8c5b3cf138128615c0e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.66 грн
10+128.32 грн
11+109.42 грн
25+104.70 грн
28+103.76 грн
50+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IKB10N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428742d3dfe Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IKB10N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428742d3dfe Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.