IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 53.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.
Інші пропозиції IKB10N60TATMA1 за ціною від 45.20 грн до 170.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A |
на замовлення 561 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKB10N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |