Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB10N60TATMA1
IKB10N60TATMA1

IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies

5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 24A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IKB10N60TATMA1 за ціною від 65.11 грн до 204.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.82 грн
110+130.52 грн
125+114.26 грн
200+105.15 грн
500+97.04 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies infineonikb10n60tdsv0206en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.84 грн
129+110.42 грн
176+81.23 грн
500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.86 грн
10+137.82 грн
11+93.26 грн
28+88.31 грн
100+86.65 грн
125+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb10n60t-datasheet-en.pdf Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.40 грн
10+127.31 грн
100+87.44 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+138.82 грн
110+130.52 грн
125+114.26 грн
200+105.15 грн
500+97.04 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 infineonikb10n60tdsv0206en.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+176.84 грн
129+110.42 грн
176+81.23 грн
500+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.86 грн
10+137.82 грн
11+93.26 грн
28+88.31 грн
100+86.65 грн
125+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 infineon-ikb10n60t-datasheet-en.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.40 грн
10+127.31 грн
100+87.44 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 2332240.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 2332240.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.