
IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 70.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції IKB15N60TATMA1 за ціною від 70.38 грн до 252.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |