Продукція > INFINEON > IKB15N65EH5ATMA1
IKB15N65EH5ATMA1

IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON

Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+121.02 грн
500+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A.

Інші пропозиції IKB15N65EH5ATMA1 за ціною від 81.91 грн до 212.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+127.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.22 грн
10+ 156.01 грн
100+ 124.22 грн
500+ 98.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.32 грн
10+ 173.84 грн
100+ 119.87 грн
250+ 110.55 грн
500+ 101.22 грн
1000+ 85.91 грн
2000+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+212.16 грн
10+ 149.41 грн
100+ 121.02 грн
500+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товар відсутній
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товар відсутній
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товар відсутній
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товар відсутній
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній