Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB15N65EH5ATMA1
IKB15N65EH5ATMA1

IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IKB15N65EH5ATMA1 за ціною від 79.67 грн до 275.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+168.59 грн
500+152.20 грн
1000+140.49 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.39 грн
10+150.17 грн
100+104.42 грн
500+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+275.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 33infineon-ikb15n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e0162cd.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+153.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+168.59 грн
500+152.20 грн
1000+140.49 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.39 грн
10+150.17 грн
100+104.42 грн
500+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+275.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.