Продукція > Транзистори > IGBT > IKB15N65EH5ATMA1

IKB15N65EH5ATMA1

Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
Код товару: 223978
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKB15N65EH5ATMA1 за ціною від 75.41 грн до 228.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+143.79 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
10+142.73 грн
100+99.04 грн
500+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 infineonimbg120r017m2hdatasheetv0120en.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+160.29 грн
500+143.79 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.09 грн
10+142.73 грн
100+99.04 грн
500+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.