Продукція > INFINEON > IKB20N65EH5ATMA1
IKB20N65EH5ATMA1

IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON

Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.84 грн
500+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IKB20N65EH5ATMA1 за ціною від 89.54 грн до 331.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.19 грн
10+164.52 грн
100+115.20 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.86 грн
10+189.05 грн
100+119.63 грн
250+118.89 грн
500+97.61 грн
1000+90.27 грн
2000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.45 грн
10+185.24 грн
100+149.84 грн
500+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD5B574119B820&compId=IKB20N65EH5.pdf?ci_sign=84117916d2af3cf46356ecf8de4185ed193d681c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.63 грн
6+155.96 грн
16+147.55 грн
100+142.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD5B574119B820&compId=IKB20N65EH5.pdf?ci_sign=84117916d2af3cf46356ecf8de4185ed193d681c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.95 грн
6+194.34 грн
16+177.06 грн
100+170.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb20n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.