Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5ATMA1

IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+161.92 грн
10+152.73 грн
25+150.55 грн
100+134.34 грн
250+122.84 грн
500+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns, Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKB30N65EH5ATMA1 за ціною від 112.09 грн до 338.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+174.38 грн
75+164.48 грн
76+162.13 грн
100+144.68 грн
250+132.29 грн
500+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB30N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362062.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.96 грн
10+186.11 грн
25+160.35 грн
100+132.14 грн
250+123.97 грн
500+118.03 грн
1000+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.87 грн
10+215.74 грн
100+152.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD6CE2BB7E5820&compId=IKB30N65EH5.pdf?ci_sign=eace35329b7f06d6bcbc499ad2a1ae3d0aff80ac Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 35A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD6CE2BB7E5820&compId=IKB30N65EH5.pdf?ci_sign=eace35329b7f06d6bcbc499ad2a1ae3d0aff80ac Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.