Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5ATMA1

IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+94.43 грн
2000+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns, Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKB30N65EH5ATMA1 за ціною від 85.81 грн до 272.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+182.80 грн
75+172.42 грн
76+169.96 грн
100+151.67 грн
250+138.68 грн
500+127.96 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+195.86 грн
10+184.74 грн
25+182.10 грн
100+162.50 грн
250+148.59 грн
500+137.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.68 грн
10+181.97 грн
100+114.94 грн
500+101.56 грн
1000+86.60 грн
2000+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.51 грн
10+171.56 грн
100+120.00 грн
500+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.