IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 161.92 грн |
| 10+ | 152.73 грн |
| 25+ | 150.55 грн |
| 100+ | 134.34 грн |
| 250+ | 122.84 грн |
| 500+ | 113.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns, Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKB30N65EH5ATMA1 за ціною від 115.22 грн до 335.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IKB30N65EH5ATMA1 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IKB30N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W |
товару немає в наявності |